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CLF3H0035-100 ；CLF3H0035S-100
寬帶射頻功率GaN HEMT：
CLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN HEMT 晶體管，可在 DC 至 3.5 GHz 的頻率范圍內使用。該器件采用熱增強型封裝，支持連續波和脈沖應用。
選型：
特點和優勢：
100 W 通用寬帶射頻功率 GaN HEMT
高效率
低熱阻
出色的堅固性
專為 DC 至 3.5 GHz 頻率范圍內的寬帶操作而設計
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