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CLF3H0060-30寬帶射頻功率GaN-SiC HEMT晶體管

發布于：2023-11-21 10:10:16

品牌名稱：Ampleon

訂貨周期：8-10周
立即訂購

重要參數：

功率：30W

頻率范圍：DC ~ 6.0 GHz

應用范圍：DC 至 6.0 GHz 頻率范圍內的寬帶

產品詳情

CLF3H0060-30 ；CLF3H0060S-30

寬帶射頻功率GaN HEMT:

CLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管，可在 DC 至 6.0 GHz 的頻率范圍內使用。該器件采用熱增強型封裝，支持連續波和脈沖應用。

選型：

特點和優勢:

30 W 通用寬帶射頻功率 GaN HEMT

高效率

低熱阻

出色的堅固性

專為 DC 至 6.0 GHz 頻率范圍內的寬帶操作而設計

有關 RoHS 合規性，請參閱 Ampleon 網站上的產品詳細信息

ADS 和 MWO 中的大信號模型可在 Ampleon 網站上找到

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