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Linear Integrated Systems SST4391 SOT-23 JFET N溝道40V可替代Siliconix

發(fā)布時(shí)間：2025-11-21 08:50:47     瀏覽：245

　　SST4391是Linear Integrated Systems公司生產(chǎn)的單N溝道JFET開(kāi)關(guān)，可替代Siliconix的2NPNSST4391型號(hào)。具有低導(dǎo)通電阻(RON≤30Ω)、快速切換(ton≤15ns)等特性。

　　絕對(duì)最大額定值：存儲(chǔ)溫度-65°C至200°C(2N/PN封裝)、-65°C至150°C(PNWST封裝);結(jié)溫(2N)-55°C至180°C，(PNWST)-55°C至150°C;功率耗散(2N，Ta=25°C)1800mW，(PNWST)350mW;最大電流IDSS=50mA;最大電壓VDS=20V;柵極到源極電壓(2N/PN)-40V。

Linear Integrated Systems SST4391 SOT-23 JFET

　　靜態(tài)電學(xué)特性：包含柵源擊穿電壓、截止電壓、漏源正向電壓、導(dǎo)通電壓、飽和電流、柵極漏電流、工作電流等參數(shù)，不同型號(hào)和測(cè)試條件對(duì)應(yīng)不同值。

　　動(dòng)態(tài)電學(xué)特性：有正向跨導(dǎo)、輸出導(dǎo)納、漏源導(dǎo)通電阻、輸入電容、反向傳輸電容、等效輸入噪聲電壓等參數(shù)。

　　開(kāi)關(guān)電學(xué)特性：開(kāi)啟時(shí)間最小值2ns，最大值15ns(不同封裝和測(cè)試條件有差異);關(guān)閉時(shí)間最小值6ns，最大值50ns(不同封裝和測(cè)試條件有差異)。

　　開(kāi)關(guān)電路特性：VGS(off)為-12V，RL為800Ω，Iss為12mA。

　　封裝：提供TO - 18(Three Lead)、TO - 92、SOT - 23等形式。

　　應(yīng)用場(chǎng)景：適用于信號(hào)切換(如音頻信號(hào)處理系統(tǒng))、電源管理(如電源路徑選擇)等對(duì)信號(hào)切換性能和一定溫度、功率承受能力有要求的電子電路設(shè)計(jì)。

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