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安森美NXH020F120MNF1低熱阻SiC MOSFET功率模塊

發(fā)布時間：2025-10-30 09:26:33     瀏覽：135

　　安森美(onsemi)的NXH020F120MNF1是一款 M1 SiC MOSFET 功率模塊，其中包含一個 20 mohm/1200V SiC MOSFET 全橋和一個 F1 模塊中的 NTC 熱敏電阻。NXH020F120MNF1 的推薦柵極電壓為 18V – 20V，具有低熱阻的 4-PACK 全橋拓撲結(jié)構，以及帶或不帶預涂層熱界面材料 (TIM) 的選項，支持壓接引腳，是一種無鉛、無鹵化物的器件，符合 RoHS 標準。

　　NXH020F120MNF1 提高了 RDS(開)在更高的電壓下，提高效率或功率密度，是高可靠性熱接口的靈活解決方案，可廣泛應用于太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電動汽車充電站、工業(yè)電源、AC-DC轉(zhuǎn)換、DC-AC轉(zhuǎn)換、DC-DC轉(zhuǎn)換。常見的終端產(chǎn)品包括電動汽車充電器、儲能系統(tǒng)(ESS)、三相太陽能逆變器、不間斷電源等。

安森美NXH020F120MNF1SiC MOSFET功率模塊

　　性能對比：


SiC（NXH020F120MNF1）傳統(tǒng)硅基IGBT
耐壓1200V600~1200V
導通損耗超低（20mΩ @25°C）較高（50~100mΩ）
開關速度極快（ns級開關）較慢（μs級開關）
高溫性能支持175°C結(jié)溫通常限制在150°C
系統(tǒng)效率更高（>98%）一般（95~97%）

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換器模塊及碳化硅(SiC)產(chǎn)品，歡迎咨詢了解。

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