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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  MTI-Milliren 405系列TCXO溫補(bǔ)晶振 2024-03-26 09:52:04

  MTI-Milliren? 405系列TCXO是一款高性能的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器，專為電氣頻率調(diào)節(jié)而設(shè)計。　　該系列TCXO具備多項顯著特點，首先是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，在寬溫度范圍內(nèi)具有嚴(yán)格的穩(wěn)定性。其次，其體積小巧、外形扁平、重量輕、功耗低，按照工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸，采用無引線芯片載體 (LCC) 超小型封裝。