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  ADI晶圓化合物半導(dǎo)體材料 2021-03-18 17:13:47

  ADI?晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導(dǎo)體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進(jìn)入晶圓制造流程以生產(chǎn)制造半導(dǎo)體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長一層新單晶的流程。

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  Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET 2024-12-30 08:51:50

  Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應(yīng)用（如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率開關(guān)電路），關(guān)鍵特性包括連續(xù)漏極電流10A、導(dǎo)通電阻300mΩ、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管、能承受高能量脈沖等；封裝為TO-254密封封裝，有背面隔離，可進(jìn)行JANTX、JANTXV篩選；絕對(duì)最大額定值、電氣規(guī)格和熱阻等方面有一系列具體參數(shù)，如漏源電壓650V、結(jié)溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。