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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  HFBM075100S高頻巴倫適配器：高速通信與極端環境應用 2024-12-31 08:36:43

  HFBM075100S是一款高頻巴倫適配器，用于將100Ω平衡差分信號轉換為75Ω接地不平衡信號，適用于高速數據傳輸及飛行應用。其主要特性包括不平衡阻抗75Ω、平衡阻抗100Ω、最大插入損耗2dB等，支持高達1485Mbps數據速率，工作溫度范圍-55℃至+125℃，環境適應性強，包裝為散裝，連接器類型為BNC，應用于無線通信、廣播等需信號轉換的場合。