Infineon英飛凌IRF7309TRPBF功率MOSFET
發布時間:2024-08-26 10:02:03 瀏覽:2375
IRF7309TRPBF是一款由IR公司生產的第五代HEXFET?功率MOSFET,它采用了先進的處理技術,旨在實現超低的導通電阻,從而在單位硅面積上達到盡可能低的電阻值。這款器件具有優越的速度開關性能和強健的設計,使其成為眾多應用中的高效設備。

主要特點:
第五代技術:利用最新的技術進步,提供優化的性能。
超低導通電阻:N溝道為0.050Ω,P溝道為0.10Ω,有助于減少功率損耗。
雙N溝道和P溝道MOSFET:在一個封裝內集成了兩種類型的MOSFET,方便設計。
表面貼裝:適用于自動化組裝,提高生產效率。
提供卷帶包裝:便于大規模生產中的連續供應。
動態dv/dt等級:能夠處理快速的電壓變化率,提高系統的穩定性。
快速切換:快速開關特性有助于提高系統效率。
無鉛:符合環保標準,減少對環境的影響。
封裝類型:
SO-8封裝:標準的表面貼裝封裝,適用于多種電路板設計。
參數:
| Parametrics | IRF7309 |
| ID (@25°C) max | 4 A ; -3 A |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 1.4 W |
| Package | SO-8 |
| Polarity | N+P |
| QG (typ @4.5V) | 16.7 nC ; 16.7 nC |
| Qgd (typ) | 5.3 nC ; 6 nC |
| RDS (on) (@4.5V) max | 80 m? ; 160 m? |
| RDS (on) (@10V) max | 50 m? ; 100 m? |
| RthJA max | 90 K/W |
| Tj max | 150 °C |
| VDS max | 30 V ; -30 V |
| VGS(th) min | -1 V ; 1 V |
| VGS max | 20 V |
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