Infineon英飛凌IRF3205PBF單N溝道功率MOSFET
發布時間:2024-07-30 09:10:16 瀏覽:3015
IRF3205PBF是一款單N溝道功率MOSFET,屬于IR (現被Infineon收購)MOSFET系列,采用TO-220封裝,最大耐壓為55V。該器件采用成熟的硅工藝,為設計人員提供了廣泛的器件組合,以支持各種應用,如直流電機、逆變器、開關電源(SMPS)、照明、負載開關以及電池供電應用。這些器件采用各種表面貼裝和通孔封裝,具有行業標準封裝,便于設計。
特征描述
平面單元結構:適用于寬安全工作區(SOA)。
廣泛可用性:針對分銷合作伙伴提供的最廣泛可用性進行了優化。
產品認證:符合JEDEC標準。
硅優化:針對開關頻率低于100kHz的應用進行了優化。
行業標準通孔功率套件。
高電流額定值。
優勢
提高堅固性。
廣泛可用性:來自分銷合作伙伴。
行業標準資質。
在低頻應用中具有高性能。
標準引腳排列:允許直接替換。
高電流能力:最大電流ID (@25°C)為110A。
技術參數
封裝:TO-220。
極性:N溝道。
總柵極電荷(QG):典型值為97.3 nC(@10V)。
柵源電荷(Qgd):36 nC。
導通電阻(RDS(on)):最大值為8 mΩ(@10V)。
熱阻(RthJC):最大值為1 K/W。
工作溫度:最小-55°C,最大175°C。
總功率耗散(Ptot):最大150W。
最大結溫(Tj):175°C。
最大漏源電壓(VDS):55V。
柵源電壓(VGS):最大20V。
閾值電壓(VGS(th)):最小3V,最大4V。
深圳市立維創展科技有限公司,優勢分銷Infineon英飛凌部分產品線,快速交付,歡迎聯系。
推薦資訊
Bliley BOCT4-XXMXX-XXXB晶體振蕩器是一款專為航空電子設計的高性能產品,具有多種電壓輸出選項、廣泛的頻率范圍和出色的溫度穩定性,同時具備低功耗和優異的相位噪聲性能。它支持輸出控制,適用于高精度、高穩定性和低功耗要求的航空電子系統和通信設備。
Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本,電容以二進制增量在0.25 pF - 15 pF間配置,提供多種選擇。該電容器可線焊,采用特定介質和基板,尺寸小,用于微波電路混合封裝。其電氣規格涵蓋工作電壓、損耗因數、Q值、溫度系數和工作溫度范圍等。
在線留言