强行糟蹋人妻hd中文字-国产午夜福利视频在线观看-国产无遮挡又黄又爽网站-日韩人妻无码精品系列专区-强制高潮18xxxxhd日韩

Infineon英飛凌IPC100N04S5-1R2汽車級MOSFET

發布時間：2024-07-17 08:55:42     瀏覽：3309

　　英飛凌(Infineon)的IPC100N04S5-1R2是一款專為汽車應用設計的N溝道增強型MOSFET，隸屬于OptiMOS? 5系列。該器件通過了AEC-Q101認證，確保其在汽車環境中的可靠性和穩定性。其主要特點包括極低的導通電阻(RDS(on))僅為1.2 mΩ，以及高達100 A的連續漏極電流(ID)，使其非常適合高效率和高性能的汽車系統設計。

圖片8.png

　　主要特點：

　　N溝道增強型模式：適用于正常電平操作。

　　AEC-Q101認證：確保汽車級質量標準。

　　低導通電阻：1.2 mΩ，有助于降低功耗和提高效率。

　　高連續漏極電流：100 A，支持高負載應用。

　　MSL1等級：適用于260°C的回流焊接。

　　寬工作溫度范圍：-55°C到+175°C，適應極端環境。

　　環保：符合RoHS標準。

　　100%壓敏測試：確保產品質量。

　　產品概要：

　　漏源電壓(VDS)：40 V

　　最大導通電阻(RDS(on),max)：1.2 mΩ

　　連續漏極電流(ID)：100 A

　　封裝類型：

　　封裝：PG-TDSON-8-34

　　標識符：5N041R2

　　最大額定值：

　　持續漏極電流：100 A (在TC=25°C, VGS=10V時)

　　脈沖漏極電流：400 A

　　單次脈沖雪崩能量：480 mJ (在ID=50A時)

　　漏源電壓：40 V

　　柵源電壓：±20 V

　　功耗：150 W (在TC=25℃時)

　　工作及貯藏溫度：-55°C到+175°C

深圳市立維創展科技有限公司，優勢分銷Infineon英飛凌部分產品線，快速交付，歡迎聯系。

推薦資訊

  • Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTB MCU
    Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTB MCU 2021-03-03 17:17:18

    Renesas? RE Cortex-M超低功耗SOTBMCU使用ARM Cortex M核，該核心基于世界上最高的基于硅薄氧化物埋層(SOTB)工業技術的超低功耗MCU。在EEMBC ULPMark基準中，ULPMark-CP評分非常高，達到705。

  • IsoClad? 917層壓板Rogers
    IsoClad? 917層壓板Rogers 2023-03-16 16:47:23

    Rogers? IsoClad?917層壓板是非玻璃纖維布/PTFE復合材質，用來作為PCB基板，相對介電常數(Dk)為2.17或2.20。

在線留言

在線留言