BF998E6327HTSA1硅N溝道MOSFET射頻放大器Infineon英飛凌
發(fā)布時間:2024-07-01 09:26:24 瀏覽:2439

BF998E6327HTSA1是Infineon英飛凌科技生產(chǎn)的一款硅N溝道MOSFET射頻放大器。這款器件專為射頻環(huán)境設(shè)計,適用于放大和切換電子信號。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:
基本特性
最大功耗:200 mW
工作溫度范圍:-55 °C至150 °C
最大頻率:1000 MHz
工作模式:耗盡模式
封裝與運輸
封裝:卷帶包裝,便于快速安裝和安全交付
技術(shù)規(guī)格
短通道晶體管:具有高S / C品質(zhì)因數(shù)
適用頻率:適用于低噪音、高達(dá)1 GHz的增益控制輸入
環(huán)保標(biāo)準(zhǔn):無鉛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):符合AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用領(lǐng)域
機頂盒
電視
車載收音機
電氣參數(shù)
門輸入電容(Cg1ss):2.1 pF
輸出電容(Cdss):1.1 pF
正向跨導(dǎo)(gfs):24 mS
功率增益(Gp):20 dB @ 800 MHz
最大連續(xù)漏電流(ID):30 mA
最大漏源電壓(Vds):12 V
噪聲系數(shù)(F):1.80 dB @ 800 MHz
總功耗(Ptot max):200 mW
封裝類型
封裝:SOT143
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
推薦資訊
臺達(dá)提供HCB106480N、HCB1190等多種型號的電感,各型號在電感量、DCR、Isat、Irms及尺寸上有所不同,這些電感具備高電流能力(Isat最高132A、Irms最高79A )、低輪廓(高度7.5 - 9.0mm )、磁屏蔽結(jié)構(gòu)、低DCR(最低0.17mΩ )、RoHS環(huán)保且可選定制等特性,適用于服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心高功率POL轉(zhuǎn)換器、基站電源、車載電池管理系統(tǒng)、大功率FPGA/GPU供電模塊、工業(yè)逆變器功率級LC濾波等應(yīng)用場景。
HOLT HI-25850 3.3V工作電壓。MIL-STD-1553 / MIL-STD-1760 雙收發(fā)器,集成雙變壓器。低調(diào)設(shè)計。兼容1.8V、2.5V和3.3V的數(shù)字I/O,總線尾部補償。
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