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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

  IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)、抵御單粒子效應(yīng)能力等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電力推進(jìn)和電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域，在高輻射環(huán)境下表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。已有更優(yōu)產(chǎn)品JANSR2N7584T1推出。

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  Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET 2024-12-30 08:51:50

  Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應(yīng)用（如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器和高功率開關(guān)電路），關(guān)鍵特性包括連續(xù)漏極電流10A、導(dǎo)通電阻300mΩ、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管、能承受高能量脈沖等；封裝為TO-254密封封裝，有背面隔離，可進(jìn)行JANTX、JANTXV篩選；絕對最大額定值、電氣規(guī)格和熱阻等方面有一系列具體參數(shù)，如漏源電壓650V、結(jié)溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。