强行糟蹋人妻hd中文字-国产午夜福利视频在线观看-国产无遮挡又黄又爽网站-日韩人妻无码精品系列专区-强制高潮18xxxxhd日韩

SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半橋功率模塊

發(fā)布時(shí)間：2024-02-20 11:46:51     瀏覽：2210

　　Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊，以最大限度地發(fā)揮 SiC 的優(yōu)勢(shì)，具有獨(dú)特的穩(wěn)健、簡(jiǎn)單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競(jìng)爭(zhēng)模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度，同時(shí)通過(guò)引腳配置將環(huán)路電感降至最低，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的電源總線。

SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V 碳化硅SiC半橋功率模塊

　　SD11906/07/56/57 是半橋配置，具有兩個(gè) 1200V、低電阻DS(開(kāi))13mΩ SiC MOSFET。SD11906和SD11956具有續(xù)流 1200V SiC 肖特基二極管，與模塊內(nèi)部的 MOSFET 并聯(lián)。引腳配置將電源總線與柵極和源控制分開(kāi)，以簡(jiǎn)化電路板布局。

　　該系列專為要求苛刻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如基于航空電子設(shè)備的機(jī)電執(zhí)行器和功率轉(zhuǎn)換器。工作溫度為 -55°C 至 175°C，結(jié)構(gòu)包括銅基板和氮化鋁絕緣體，確保 TCE 匹配和高熱傳遞。隔離式集成溫度傳感可在SD11906和SD11907上提供高水平的溫度保護(hù)。

　　與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的開(kāi)關(guān)性能，且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低，效率水平比硅更高，因此在打開(kāi)和關(guān)閉階段需要的開(kāi)關(guān)功率更高，所需的能量更少。結(jié)合高開(kāi)關(guān)頻率，這意味著磁性元件更小，大大減輕了系統(tǒng)重量和尺寸。

相關(guān)產(chǎn)品推薦：

Solitron寬溫金屬封裝MOS管SD11702-650V 

Solitron寬溫金屬封裝碳化硅二級(jí)管SD11800–1200V

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

推薦資訊

  • QT625S SAW聲表面波器件Q-Tech
    QT625S SAW聲表面波器件Q-Tech 2024-03-11 09:00:30

    Q-Tech的QT625S低相位噪聲空間合格振蕩器是一款具有卓越性能的300kRad(Si)容限混合SAW(表面聲波)振蕩器。它的工作頻率范圍為400MHz至1.3GHz。QT625S提供了低相位噪聲，其中在10kHz偏置下為-135 dBc/Hz，在本底噪聲下為-168 dBc/Hz。典型的振動(dòng)靈敏度小于2ppb/g。

  • PESD24VL2BT低電容雙向雙ESD保護(hù)二極管NXP現(xiàn)貨
    PESD24VL2BT低電容雙向雙ESD保護(hù)二極管NXP現(xiàn)貨 2025-01-07 08:44:03

    PESD24VL2BT是NXP公司的低電容ESD保護(hù)設(shè)備產(chǎn)品，采用SOT23封裝，是低電容雙向雙ESD保護(hù)二極管，用于保護(hù)兩條信號(hào)線免受ESD或瞬態(tài)電壓損壞。其特性包括兩條線路ESD保護(hù)、超低漏電流、350W最大峰值脈沖功率、高達(dá)23kV的ESD保護(hù)、低鉗位電壓等，符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)；應(yīng)用領(lǐng)域涉及計(jì)算機(jī)和外設(shè)、通信系統(tǒng)、音頻視頻設(shè)備、便攜式電子設(shè)備、手機(jī)及附件、SIM卡保護(hù)等。

在線留言

在線留言