ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率
發布時間:2021-05-21 17:09:32 瀏覽:3114
在電子器件中,射頻和功率應用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導體(射頻前端PA等),而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導體(汽車電子學等)。
由于其高功率密度,GaN在基站大功率器件領域具有獨特的優勢。與硅襯底相比,SiC襯底具有更好的導熱特性。目前,工業上95%以上的GaN射頻器件使用SiC襯底,如Qorvo是基于SiC襯底的,硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作,具有更高的成本優勢。在功率半導體領域中,SiC襯底與GaN on Silicon的競爭僅占該領域的一小部分。GaN市場主要集中在低壓領域,而SiC主要用于高壓領域。他們的邊界約為600 V。
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DETF力傳感器的諧振頻率是其尺寸、電極結構和施加的力的函數。壓縮或拉伸傳感器會導致相應的頻率變化,如圖2所示。一旦校準,測量頻率的變化就會得到所施加的力。 由于DETF力傳感器基于頻率原理工作,因此它們不受振幅噪聲以及傳感器頻率以外頻率的噪聲的影響。因此,系統中的信號可以在全振幅下工作,從而避免了通常困擾低電平測量的噪聲。
Vanguard Electronics推出了新的共模扼流圈電感器系列,這些電感器設計用于在惡劣環境下工作,頻率覆蓋100KHz至600KHz以上。它們具有緊湊設計、多種尺寸選擇、-55°C至125°C的寬溫工作范圍和多種電感電流組合。SCMN系列還符合MIL-STD-981標準,適合軍事和高端工業應用。
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