ARIZONA Capacitors W90系列額定電壓范圍為3kVDC至150kVDC,電容值最高可達2.000 μF,標準容差±10%;工作溫度范圍(G10外殼材料)按不同降額情況有所不同,全額定溫度時為 -55°C至60°C,30%降額時為 -55°C至85°C,50%降額時為 -55°C至105°C,75%降額時為 -55°C至125°C;絕緣電阻在25 - 50kΩ,1,000Hz下損耗因子小于0.6%,經過130%額定電壓1分鐘測試,生產流程符合ISO 9001:2015認證,符合MIL-STD-202測試標準,可按需符合ROHS標準。
PESD24VL2BT是NXP公司的低電容ESD保護設備產品,采用SOT23封裝,是低電容雙向雙ESD保護二極管,用于保護兩條信號線免受ESD或瞬態電壓損壞。其特性包括兩條線路ESD保護、超低漏電流、350W最大峰值脈沖功率、高達23kV的ESD保護、低鉗位電壓等,符合相關標準;應用領域涉及計算機和外設、通信系統、音頻視頻設備、便攜式電子設備、手機及附件、SIM卡保護等。
PDI VN04系列是烤箱控制晶體振蕩器(OCXO),能在苛刻環境下確保精確頻率,具有超低相位噪聲、高振動環境表現出色及采用雙重密封石英晶體等特點,可提供定制頻率,且公司提供快速樣品服務、大規模生產能力和有競爭力的定價;產品主要規格包括尺寸、頻率范圍、輸出類型等多方面參數,還給出了頻率穩定性、頻率調整、電源功耗、輸出電壓、負載、相位噪聲等具體指標。
iCE40 UltraLite家族是Lattice公司生產的FPGA和傳感器管理器,專為超低功耗移動應用(如智能手機、平板電腦等)設計,包含與移動傳感器和應用處理器接口的集成塊。其特點包括靈活邏輯架構(有640或1K查找表兩種設備)、超低功耗(40納米低功耗工藝,待機電流35微安)、嵌入式和分布式存儲等;應用領域涉及多傳感器管理、IR遙控等;技術規格方面,不同型號邏輯單元數量不同,均有14個EBR內存塊等,封裝有16球WLCSP和36球ucBGA兩種選項。
Connor-Winfield FSLD52TE是表面貼裝3.3V固定頻率晶控振蕩器(XO),有HCMOS三態輸出,專為低抖動和嚴格頻率穩定性應用設計。其特點包括低抖動(<1ps RMS)、三態使能/禁用等;電氣規格涵蓋中心頻率19.44 MHz至167 MHz、總頻率容差±50ppm等;輸入特性有使能和禁用電壓;HCMOS輸出特性涉及負載、高低電平電壓電流等,啟動時間為10ms。
Ampleon公司的CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700是700W內部預匹配的RF GaN-SiC HEMT功率晶體管,適用于0.9 GHz至1.4 GHz頻率范圍,具有出色的效率、熱阻和堅固性,適用于航空電子應用;關鍵特性包括不同頻率下的輸出功率、功率增益、漏極效率、輸入回波損耗等參數,還涉及熱阻、漏源電壓等多項指標,儲存溫度為-65℃ ~+150℃,且能承受特定條件下的額定負載功率。
Wi2Wi的VNO5系列是一款溫控晶振(OCXO),能在苛刻條件下確保精確頻率,具有超低相位噪聲、高振動環境表現出色及采用雙重密封石英晶體等特點,可按需定制頻率,提供樣品滿足原型設計需求,具備大規模生產能力和競爭力定價;產品規格涵蓋尺寸、頻率范圍、電源電壓范圍等多項參數,還給出了相位噪聲典型值,最后附有訂購指南。
NXP LS1028A/LS1018A芯片相關介紹,LS1028A有兩個核心,LS1018A為單核,核心為32/64位ARM Cortex-A72,最高1.5GHz,有一定緩存配置;內存控制器支持DDR3L/DDR4 SDRAM且支持ECC;支持多種高速串行接口并提供SerDes通道;內置LCD控制器支持高分辨率顯示,GPU支持多種圖形標準且有特定速率;集成TSN-capable以太網相關組件;有多種外設接口、DMA控制器、中斷控制器與監控單元;采用FC-PBGA封裝;適用于網絡、工業、打印等領域,因能源高效、集成度高和成本效益受青睞。
HFBM075100S是一款高頻巴倫適配器,用于將100Ω平衡差分信號轉換為75Ω接地不平衡信號,適用于高速數據傳輸及飛行應用。其主要特性包括不平衡阻抗75Ω、平衡阻抗100Ω、最大插入損耗2dB等,支持高達1485Mbps數據速率,工作溫度范圍-55℃至+125℃,環境適應性強,包裝為散裝,連接器類型為BNC,應用于無線通信、廣播等需信號轉換的場合。
Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應用(如電源轉換器、電機驅動器和高功率開關電路),關鍵特性包括連續漏極電流10A、導通電阻300mΩ、內置快速恢復二極管、能承受高能量脈沖等;封裝為TO-254密封封裝,有背面隔離,可進行JANTX、JANTXV篩選;絕對最大額定值、電氣規格和熱阻等方面有一系列具體參數,如漏源電壓650V、結溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。
Lattice的LC4128V-75TN100C是ispMACH? 4000V家族的高性能復雜可編程邏輯器件(CPLD),適用于多種高速和復雜邏輯應用場景;技術規格包括邏輯塊、全局時鐘等多項參數,編程存儲方面采用EEPROM,具備系統內可編程及可重編程支持;電源和環境方面有明確的電壓、溫度等要求,為商業級;采用100引腳TQFP封裝,適用于表面貼裝,尺寸為14mm*14mm*1.4mm;可應用于通信設備、工業控制系統、消費電子產品等需要高速邏輯處理和靈活設計的領域。
Vanguard Electronics的CS100系列提供高可靠性電流感應變壓器,按MIL-PRF-27規范制造,適合軍事和航空航天應用,設計緊湊扁平且便于自動放置;具有低熱膨脹、焊接內部連接、防潮抗沖擊及浸入等特性,可定制設計和修改;電氣規格涵蓋電感值、最大電流等多項參數,工作溫度-55°C至+125°C、儲存溫度-60°C至+130°C;有多種封裝選項及類型,包括A-1至A-4封裝,提供通孔和鷗翼型封裝。
Connor Winfield MSD5xA1G系列是密封表面貼裝3.3V晶體控制振蕩器(XO),HCMOS/TTL兼容且符合RoHS標準,專為需低抖動和嚴格頻率穩定性的應用設計;產品系列包括MSD54A1G(頻率容差±20ppm)等不同型號;規格參數涉及頻率范圍1.8 - 156.25 MHz、存儲溫度-55至125°C等;主要特性有3.3V操作、低抖動等;操作規格涵蓋操作溫度范圍、供電電流、抖動及相位噪聲等相關數據;輸入特性、HCMOS輸出特性分別有對應具體參數。
JANTX1N5618是一款符合MIL-PRF-19500/427標準的軍用級別標準恢復整流二極管,屬于1N5614至1N5622系列,采用無空洞的密封玻璃封裝和三層鈍化技術,提供高可靠性和高壓承受能力(峰值反向電壓范圍200至1000伏特)。適用于軍事、航空、工業控制和電源管理等領域,提供通孔和表面貼裝(MELF配置)兩種封裝形式,滿足不同應用需求。
PmTA-721-45-2.3低噪聲放大器適用于需要高增益和低噪聲系數的應用,如通信系統、雷達和電子戰系統。其頻率范圍為7到21GHz、小信號增益至少45dB、增益平坦度±1.25dB、中頻帶噪聲系數2.3dB、輸入和輸出回波損耗均為-10dB、輸出功率至少15dBm、工作直流電壓12V、工作直流電流100mA、連接器為SMA Female。
Solitron SMF182是一款500V N溝道功率MOSFET,專為高電壓和中電流的電力轉換應用設計,具備7A連續漏極電流和850mΩ導通電阻,支持高效能和低功耗。其內置快速恢復二極管和優化的電氣性能(如1.5V體二極管正向電壓和700ns反向恢復時間)進一步提升了開關效率。SMF182還具有出色的熱管理能力(0.767°C/W熱阻),適用于電源轉換器、電機驅動器和高功率開關電路等領域。
LS10x8A系列是一款多核通信處理器,集成了四到八個ARM Cortex-A53核心,最高頻率1.6 GHz,適用于無線接入點、網絡基礎設施和工業應用。該處理器配備32 KB L1緩存、1 MB L2緩存(支持ECC)、NEON SIMD協處理器和ARMv8加密擴展。內存控制器支持32/64位DDR4 SDRAM,最高速率2.1 GT/s。其數據路徑加速架構(DPAA2)提供數據包解析、分類、加密加速等功能,支持多種高速接口如PCIe 3.0、SATA 3.0、SGMII和XFI。其他外設包括QSPI、SPI、USB 3.0、I2C等,封裝為780 FC-PBGA,廣泛應用于路由器、虛擬CPE、工業通信和安全設備等領域。
Microsemi 1N3826AUR-1是一款5.1V、5%容差的Zener二極管,采用DO-213AB封裝,具有1000毫瓦的功率和7歐姆的阻抗。其電氣特性包括3.3V至6.2V的Zener電壓、276至146歐姆的阻抗,以及3至100μA的最大反向漏電流。該二極管適用于-65°C至+175°C的工作和存儲溫度,且在超過125°C后每升高1°C功率降額20mW。
HCME606090F系列電感器提供三種不同電感值,適用于電源管理、信號過濾和射頻應用等領域,具有高電流承載能力,并能在-40℃至125℃的寬溫度范圍內穩定工作。
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